在大功率、高压领域使用的高压陶瓷电容器，要求具有小型、高耐压和频率特性好等特点。近年来随着材料、电极和制造技术的进步，高压陶瓷电容器的发展有长足的进展，并取得广泛应用。高压陶瓷电容器已成为大功率高压电子产品不可缺少的元件之一。高压陶瓷电容器的用途主要分为送电、配电系统的电力设备和处理脉冲能量的设备。

　　低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。陶瓷电容按照封装不同可分为插件和贴片式！按照介质不同可分为I类瓷介电容和II类瓷介电容，通常NP0，SL0，COG是I类瓷介电容，X7R，X5R，Y5U，Y5V是II类瓷介电容， I类瓷介电容容量稳定性很好，基本不随温度，电压，时间等变化而变化，但是一般容量都很小，而II类瓷介电容容量稳定性很差，随着温度，电压，时间变化幅度较大，所以陶瓷电容一般用在对容量稳定性要求不高的场合，如滤波等！

　　陶瓷电容器的分类和用途

　　1.陶瓷电容器按电压分类

　　按电压：超高压、高压、低压、交流

　　超高压：≥10KVdc者；

　　高压： ≥500Vdc，＜10KVdc者；

　　低压： ≥16Vdc，＜500KVdc者；

　　交流：特指250Vac与400Vac。即Y电容。

　　2.陶瓷电容器按温度特性分类

　　按温度特性可以分为三类：

　　1类：高频瓷介电容器，有NP0、SL等；

　　2类：高介电常数电容器，有Y5P、Y5U、Y5V等。

　　3类：半导体型陶瓷电容器，原则上有Y5P、Y5U、Y5V。实际上目前Y5V为主。

　　3.什么是温度特性

　　是指电容器在规定的温度范围内，相对于常温时电容器电容量的变化率。

　　如NP0，在-25℃-+85℃的温度区间，相对于25 ℃时，温度每变化1℃，其电容量之允许变化小于60ppm。

　　如Y5P，在-25℃-+85℃的温度区间，相对于25 ℃时的容量变化率允许±10%。

　　代 码：Y：-25 ℃；5：+85 ℃

　　变化率：P：±10%；

　　U：+22%，-56%；

　　V：+22%，-82%。

　　陶瓷电容器用途

　　1类：温度系数小，适用于调谐回路和需要补偿效应的电路。

　　2类：介电常数高，适用于旁路、耦合、隔直流和滤波电路。

　　3类：容量大，体积小，电压低。用于滤波、旁路、耦合电路。

　　交流：抗电磁干扰。

　　在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容器所处的位置不同，称呼就不一样，对于同一个电路来说，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦（decoupling）电容也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象，我们经常可以看到，在电源和地之间连接着去耦电容，它有三个方面的作用：一是作为本集成电路的蓄能电容；二是滤除该器件产生的高频噪声，切断其通过供电回路进行传播的通路；三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。