规格(特征)
项目 | 符号 |
TG5032SFN (Clipped sine wave) |
条件 | |
---|---|---|---|---|
VC-TCXO | TCXO | |||
输出频率范围 | f0 | 10 MHz ~ 40 MHz | ||
10, 12.8, 19.2, 20, 24.576, 25, 25.6, 26, 30.72, 38.4, 38.88, 40 MHz |
标准频率 | |||
电源电压 | VCC | C: 3.3 V ± 5 % (标准) (电源电压范围 : 2.375 V ~ 3.63 V) |
||
储存温度范围 | T_stg | -40°C ~ +90°C | 裸存 | |
工作温度范围 | T_use | G: -40 °C ~ +85°C | ||
a) 频率初期公差 | f_tol | ± 1.0 × 10-6Max. | 在回流焊后, +25 °C | |
b) 频率温度特征 | fo-TC | A: ± 0.1 × 10-6 Max. / G: -40 °C ~ +85°C H: ± 0.25 × 10-6 Max. / G: -40 °C ~ +85°C B: ± 0.28 × 10-6 Max. / G: -40 °C ~ +85°C |
频率 (fmax + fmin) / 2 基准 | |
c) 频率负载变动特征 | fo-Load | ± 0.1 × 10-6 Max. | Load ±10 % | |
d) 频率电源电压特征 | fo-VCC | ± 0.1 × 10-6 Max. | Vcc ± 5 % | |
e) 频率老化 | f_age | ± 0.5 × 10-6 Max | +25°C , 第一年 | |
± 3.0 × 10-6 Max. | +25°C , 20年 | |||
Holdover stability (温度固定) |
- | ± 0.01 × 10-6 Max. (+25 °C , 24时间) | 工作开始10日后基准 | |
± 0.04 × 10-6 Max. (+25 °C , 24时间) | 工作开始48时间后基准 | |||
Wander generation ( MTIE, TDEV ) |
- | - | 符合 GR-1244CORE , ITU-T G.8262 | |
Free-run accuracy | - | ± 4.6 × 10-6 Max. | 这包括项目a), b), c), d), e) | |
功耗 | ICC | 5.0 mA Max. | ||
输入电阻 | Rin | 100 kΩ Min. | - | VC- GND (DC) |
频率控制范围 | f_cont | ± 5 × 10-6 ~ ± 10 ×10-6 | - | D : VC= 1.5 V ± 1.0 V at VCC = 3.3V E : VC= 1.65 V ± 1.0 V at VCC = 3.3V |
输出电压极 | VPP | 0.8 Min. | 峰 - 峰值 | |
振荡启动时间 | t_str | 5.0 ms Max. | 在90 % VCC 时,所需时间为0 秒 | |
输出负载 | Load | 10 kΩ / 10 pF |
说明:请联系我们以便获取上述内容未涉及的其它规格产品的相关信息
产品名称(标准显示)
外部尺寸规格
(単位: mm)
推荐焊盘尺寸
(単位: mm)
为了维持稳定运行,在接近晶体产品的电源输入端处(在VCC-GND 之间)添加一个0.1uF的去耦电容