品牌：EPSON晶振
型号：TG5032SGN
系列：TCXO/VC-TCXO超高精度 10 引脚
工作温度范围：-40℃~+85℃
应用领域：Small Cells, Stratum3, SyncE, IEEE1588
| 项目 | 符号 |
TG5032SGN (Clipped sine wave) |
条件 | |
|---|---|---|---|---|
| VC-TCXO | TCXO | |||
| 输出频率范围 | f0 | 10 MHz ~ 40 MHz | ||
| 10, 12.8, 19.2, 20, 24.576, 25, 25.6, 26, 30.72, 38.4, 38.88, 40 MHz |
标准频率 | |||
| 电源电压 | VCC | C: 3.3 V ± 5 % (标准) (电源电压范围 : 2.375 V ~ 3.63 V) |
||
| 储存温度范围 | T_stg | -40°C ~ +90°C | 裸存 | |
| 工作温度范围 | T_use | G: -40 °C ~ +85°C | ||
| a) 频率初期公差 | f_tol | ± 1.0 × 10-6Max. | 在回流焊后, +25 °C | |
| b) 频率温度特征 | fo-TC | A: ± 0.1 × 10-6 Max. / G: -40 °C ~ +85°C H: ± 0.25 × 10-6 Max. / G: -40 °C ~ +85°C B: ± 0.28 × 10-6 Max. / G: -40 °C ~ +85°C |
频率 (fmax + fmin) / 2 基准 | |
| c) 频率负载变动特征 | fo-Load | ± 0.1 × 10-6 Max. | Load ±10 % | |
| d) 频率电源电压特征 | fo-VCC | ± 0.1 × 10-6 Max. | Vcc ± 5 % | |
| e) 频率老化 | f_age | ± 0.5 × 10-6 Max | +25°C , 第一年 | |
| ± 3.0 × 10-6 Max. | +25°C , 20年 | |||
|
Holdover stability (温度固定) |
- | ± 0.01 × 10-6 Max. (+25 °C , 24时间) | 工作开始10日后基准 | |
| ± 0.04 × 10-6 Max. (+25 °C , 24时间) | 工作开始48时间后基准 | |||
|
Wander generation ( MTIE, TDEV ) |
- | - | 符合 GR-1244CORE , ITU-T G.8262 | |
| Free-run accuracy | - | ± 4.6 × 10-6 Max. | 这包括项目a), b), c), d), e) | |
| 功耗 | ICC | 5.0 mA Max. | ||
| 输入电阻 | Rin | 100 kΩ Min. | - | VC- GND (DC) |
| 频率控制范围 | f_cont | ± 5 × 10-6 ~ ± 10 ×10-6 | - | J,D : VC= 1.5 V ± 1.0 V at VCC = 3.3V K,E : VC= 1.65 V ± 1.0 V at VCC = 3.3V |
| 输出电压极 | VPP | 0.8 Min. | 峰 - 峰值 | |
| 振荡启动时间 | t_str | 5.0 ms Max. (Non-Filter: 标准) 2.0 sec. Max. (Filter: 选择) |
在90 % VCC 时，所需时间为0 秒 | |
| 输出负载 | Load | 10 kΩ / 10 pF | ||
| 输入电压 | VIH | 70 % VCC Min. | OE 终端(启用电压) | |
| VIH | 30 % VCC Max. | OE 终端(禁用电压) | ||
说明：请联系我们以便获取上述内容未涉及的其它规格产品的相关信息
(単位: mm)
(単位: mm)
为了维持稳定运行，在接近晶体产品的电源输入端处（在VCC-GND 之间）添加一个0.1uF的去耦电容
