规格(特征)
项目 | 符号 | 规格说明 | 条件 | |
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输出频率范围 | f0 | 32.768 kHz | ||
电源电压 | VCC | 0.9 V to 3.6 V | ||
接口电源电压 | Vio | 0.9 V to 3.6 V | ||
储存温度 | T_stg | -55 °C to +125 °C | 存储为单一产品 | |
工作温度 | T_use | -40 °C to +85 °C | ||
频率稳定度 | f_tol | 5 ± 23 × 10-6 | +25 °C , VCC = 1.2 V | |
频率温度特征 | f0 - TC | +10 × 10-6 / -120 × 10-6 | -20 °C to +70 °C ( +25 °C 为基准温度 ) | |
频率电压特征 | f0 - VCC | 5 × 10-6 / V Max. | +25 °C | |
功耗 | lCC | 3.1 µA Max. | VCC = 3.3 V , 无负载条件 | |
占空比 | SYM | 45 % to 55 % | 1/2 VCC (Vio)级别( Vio = 1.2 V to 3.6 V) | |
输出电压 | VOH | Vio - 0.4 V Min. | lOH = -0.4mA (Vio = 1.2 V to 3.6 V) | |
VOL | 0.4 V Max. | lOL = 0.4 mA (Vio = 1.2 V to 3.6 V) | ||
输出负载条件(CMOS) | L_CMOS | 15 pF Max. | CMOS 负载 | |
上升/下降时间 | tr/tf | 100 ns Max. | CMOS 负载: 20 % VCC(Vio) to 80 % VCC(Vio)极, (Vio = 1.2 V to 3.6 V) |
|
振荡启动时间 | t_str | 3 s Max. | 电源电压最低时,所需时间为0秒 , +25 °C | |
频率老化 | f_aging | ±5 × 10-6 / 年 Max. | +25 °C , 第一年 , VCC = 3.3 V |
除非另有说明,上表所述特征(规格说明)均基于相关的工作温度和电压条件
电路框图
*不使用VIO功能时,连接到VCC
外部尺寸规格
(単位: mm)
*停止使用胶水
一旦LC封装的产品焊接到电路板上任何胶水都不得使用,这个产品在封装的背面有玻璃
当胶水浸入到电路板和玻璃的中间,由于胶水的热膨胀玻璃将会破碎
既然这样会导致晶体停振,所以必须考虑废除胶水或者不让胶水接触到LC的封装。
推荐焊盘尺寸
(单位: mm)
为了维持稳定运行,在接近晶体产品的电源输入端处(在VCC - GND之间)添加一个0.01 ~ 0.1 µF的去耦电容