| 项目 | 符号 | 规格说明 | 条件 | |
|---|---|---|---|---|
| 输出频率范围 | f0 | 32.768 kHz | ||
| 电源电压 | Vcc | 1.5 V to 5.5 V | ||
| 储存温度 | T_stg | -55 °C to +125 °C | 保存为一个单元 | |
| 工作温度 | T_use | -40 °C to +105 °C | ||
| 频率稳定度 | f_tol | XA | ±3.4 × 10-6 | -40 °C to +85 °C |
| ±8.0 × 10-6 | +85 °C to +105 °C | |||
| XB | ±5.0 × 10-6 | -40 °C to +85 °C | ||
| ±8.0 × 10-6 | +85 °C to +105 °C | |||
| 功耗 | lCC | 1.0 µA Typ. 3.0 µA Max. |
VCC = 3.0 V , 无负载条件 | |
| 输出禁用电流 | I_dis | 1.5 µA Max. | OE = GND , VCC = 3.0 V | |
| 占空比 | SYM | 40 % to 60 % | 50 % VCC级别 | |
| 输出电压 | VOH | 80 % VCC Min. | lOH = -0.5 mA , VCC = 3.0 V | |
| VOL | 20 % VCC Max. | lOL = 0.5 mA , VCC = 3.0 V | ||
| 输出负载条件(CMOS) | L_CMOS | 30 pF Max. | CMOS 负载 | |
| 振荡启动时间 | t_str | 1s Max. | Ta = +25 °C , VCC = 1.5 V to 5.5 V | |
| 频率老化 | f_aging | ±3 ×10-6 | Ta = +25 °C , VCC = 3.0 V , 第一年 | |
(単位: mm)
(单位: mm)
为了维持稳定运行，在接近晶体产品的电源输入端处（在VDD-GND之间）添加一个0.1μF的去耦电容。
