品牌：EPSON晶振
型号：SG-636SCE
系列：晶体振荡器 SPXO
工作温度范围：-20℃~+70℃
应用领域：用于系统频率源、导航以及通讯领域
| 项目 | 符号 | 规格说明 | 条件 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| SG-636 PTF |
SG-636 PCE SG-636 SCE |
SG-636 PDE | |||
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输出 频率范围 |
f0 | 2.21675MHz ~ 41.000MHz | 2.21675MHz ~ 40.000MHz | 2.21675MHz ~ 40.000MHz | |
| 电源电压 | VCC | 5.0V ±0.5V | 3.3V ±0.3V | 2.5V ±0.25V | |
| 储存温度 | T_stg | -55°C ~ +100°C | 裸存 | ||
| 工作温度 | T_use | -20°C ~ +70°C | |||
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频率稳 定度 |
f_tol | C: ±100 × 10-6 | -20°C ~ +70°C | ||
| 功耗 | ICC | 17mA Max. | 9mA Max. | 5mA Max. | 无负载条件 |
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输出 禁用电流 |
I_dis | 10mA Max. | 5mA Max. | 3mA Max. | OE=GND |
| 待机电流 | I_std | - | 2μA Max. | - | ST(SCE) |
| 占空比 | SYM | 40% ~ 60% | 45% ~ 55% | CMOS 负载: 50% VCC极 | |
| 45% ~ 55% | - | TTL load:1.4V 极 | |||
| 输出电压 | VOH | VCC-0.4V Min. | IOH=-8mA(PTF) IOH=-4mA(SCE,PCE) IOH=-3.2mA(PDE) |
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| VOL | 0.4V Max. | IOL=16mA(PTF) IOL=4mA(SCE,PCE) IOL=3.2mA(PDE) |
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输出 负载条件 （TTL） |
L_TTL | 10TTL Max. | - | L_CMOS ≤ 15pF | |
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输出 负载条件 （CMOS） |
L_CMOS | 50pF Max. | 30pF Max. | 15pF Max. | |
| 输入电压 | VIH | 2.0V Min. | 80% VCC Min. | OE终端 或 ST (SCE) | |
| VIL | 0.8V Max. | 20% VCC Max. | |||
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上升/ 下降时间 |
tr / tf | 7ns Max. | 5ns Max. | CMOS 负载: 20% VCC~80% VCC极 |
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| 5ns Max. | - | TTL 负载: 0.4V ~2.4V极 |
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振荡启动 时间 |
t_str | 4ms Max. | 4ms Max. | 在电源电压最低时， 所需时间为0秒 |
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| 频率老化 | f_aging | ±5 × 10-6 / year Max. | +25°C,第一年 VCC=5.0V,3.3V,2.5V, |
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(单位: mm)
在该产品顶部或底部可能暴露着金属材料。
但这不影响任何质量、可靠性或电气规范等。 说明：
ST引脚 (SCE)
ST引脚 = "H"或"打开"：指定的频率输出。
ST引脚 = "L"：输出为弱下拉，振荡停止。
(单位: mm)
为了维持稳定运行，在接近晶体产品的电源输入端处
（在VCC-GND之间）添加一个0.01~0.1μF的去耦电容。
