项目 | 符号 | 规格说明 | 条件 | ||
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SG-636 PTF |
SG-636 PCE SG-636 SCE |
SG-636 PDE | |||
输出 频率范围 |
f0 | 2.21675MHz ~ 41.000MHz | 2.21675MHz ~ 40.000MHz | 2.21675MHz ~ 40.000MHz | |
电源电压 | VCC | 5.0V ±0.5V | 3.3V ±0.3V | 2.5V ±0.25V | |
储存温度 | T_stg | -55°C ~ +100°C | 裸存 | ||
工作温度 | T_use | -20°C ~ +70°C | |||
频率稳 定度 |
f_tol | C: ±100 × 10-6 | -20°C ~ +70°C | ||
功耗 | ICC | 17mA Max. | 9mA Max. | 5mA Max. | 无负载条件 |
输出 禁用电流 |
I_dis | 10mA Max. | 5mA Max. | 3mA Max. | OE=GND |
待机电流 | I_std | - | 2μA Max. | - | ST(SCE) |
占空比 | SYM | 40% ~ 60% | 45% ~ 55% | CMOS 负载: 50% VCC极 | |
45% ~ 55% | - | TTL load:1.4V 极 | |||
输出电压 | VOH | VCC-0.4V Min. | IOH=-8mA(PTF) IOH=-4mA(SCE,PCE) IOH=-3.2mA(PDE) |
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VOL | 0.4V Max. | IOL=16mA(PTF) IOL=4mA(SCE,PCE) IOL=3.2mA(PDE) |
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输出 负载条件 (TTL) |
L_TTL | 10TTL Max. | - | L_CMOS ≤ 15pF | |
输出 负载条件 (CMOS) |
L_CMOS | 50pF Max. | 30pF Max. | 15pF Max. | |
输入电压 | VIH | 2.0V Min. | 80% VCC Min. | OE终端 或 ST (SCE) | |
VIL | 0.8V Max. | 20% VCC Max. | |||
上升/ 下降时间 |
tr / tf | 7ns Max. | 5ns Max. | CMOS 负载: 20% VCC~80% VCC极 |
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5ns Max. | - | TTL 负载: 0.4V ~2.4V极 |
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振荡启动 时间 |
t_str | 4ms Max. | 4ms Max. | 在电源电压最低时, 所需时间为0秒 |
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频率老化 | f_aging | ±5 × 10-6 / year Max. | +25°C,第一年 VCC=5.0V,3.3V,2.5V, |
外部尺寸规格
(单位: mm)
在该产品顶部或底部可能暴露着金属材料。
但这不影响任何质量、可靠性或电气规范等。 说明:
OE引脚 (PCE)
OE引脚= "H"或"打开":指定的频率输出。
OE引脚= "L":输出为高阻抗。
推荐焊盘尺寸
(单位: mm)
为了维持稳定运行,在接近晶体产品的电源输入端处
(在VCC-GND之间)添加一个0.01~0.1μF的去耦电容。